기존 D램 생산라인 C2 확장...건축면적 5만8천㎡

SK하이닉스 이석희 대표가 18일 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다. <사진=SK하이닉스>

[위클리오늘=김성한 기자] SK하이닉스(대표 이석희)가 18일 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)에서 기존 D램 생산라인 C2를 확장한 ‘C2F’ 준공식을 개최했다.

SK하이닉스는 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지자, 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억원을 투입해 반도체 생산공간을 확보했다.

이날 준공식엔 ‘새로운 도약, 새로운 미래(芯的飞跃 芯的未来)’라는 주제로 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹(FAB:반도체 생산 설비)으로, 기존 C2 공장과 규모가 비슷하다.

SK하이닉스는 “C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고, C2 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다”며 “향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다”고 밝혔다.

SK하이닉스 우시FAB담당 강영수 전무는 “C2F 준공으로 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다“며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영해 우시 팹의 생산‧운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

한편, SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고, 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다.

당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 해 왔다.

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